Институт физики полупроводников им. академика А.В. Ржанова СО РАН на проспекте Академика Лаврентьева

ФБГУ «Институт физики полупроводников имени академика А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук» (ИФП СО РАН) было создано в 1964 году в Новосибирске. Вуз появился путем объединения Института радиофизики и электроники СО РАН СССР и Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР. У истоков ИФП стоял советский академик Анатолий Ржанов, имя которого Институту было присвоено в 2006 году.

В настоящее время вуз является крупным исследовательским центром, который занимается фундаментальными научными открытиями и практической реализацией востребованных высокотехнологичных инновационных разработок для современной экономики. Институт ведет подготовку квалифицированных научных исследователей и специалистов элитного инженерно-технического класса.

К главным научным направлениям работы ИФП относятся:

- физика диэлектриков и полупроводников;
- физика низкоразмерных систем;
- физико-химические основы технологий наноэлектроники, микроэлектроники, микросенсорики, оптоэлектроники;
- актуальные проблемы лазерной физики, оптики, квантовой электроники.

В структуру вуза входит более 20 научных лабораторий и два филиала, один из которых находится в Омске, а другой – в Новосибирске. Также в ИФП работает несколько научно-образовательных центров.

Текст скопирован с Yell.ru - https://www.yell.ru/novosibirsk/com/institut-fiziki-poluprovodnikov-im-akademika-a-v-rjanova-so-ran_10630800/