Государственное учреждение науки «Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской Академии наук» (НТЦ микроэлектпрники РАН) создан в 1991 году для целей проведения исследований и выполнения разработок в области оптоэлектронных полупроводниковых приборов на базе эпитаксиальных многокомпонентных гетероструктур. НТЦ микроэлектроники - структурное звено Российской академии наук. Координацию исследований и научно-методическое руководство осуществляют научный центр РАН г. Санкт-Петербурга, а также Отделение информационных технологий нанотехнологий РАН.
Область научной деятельности центра - исследования методов эпитаксиального выращивания и диагностики полупроводниковых наногетеоструктур, изучение физических основ работы устройств, созданных на основе наногетероструктур, разработка и последующее продвижение в производство новых типов приборов. Направления исследований: физика и технология твердотельных наноструктур, элементной базы нано- и микроэлектроники, разработка и создание оборудования для микро- и наноэлектроники, новые методы в медицине, технике, технологии, в т.ч. с применением элементной базы нано- и микроэлектроники.
Текст скопирован с Yell.ru - https://www.yell.ru/spb/com/ntts-mikroelektroniki-ran_5162948/