Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ) был создан в 2002 году. Его основная цель – проведение прикладных и фундаментальных научных исследований, а также прикладных разработок в сфере сверхвысокочастотной и крайне высокочастотной полупроводниковой электроники.

Главные направления научной работы ИСВЧПЭ:

- физика и технология квантово-размерных гетероструктур;
- электронные процессы в сверхвысокочастотных приборах и разработка нового класса высокочастотных приборов;
- нано- и микротехнология формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов;
- разработка монолитных СВЧ ИС для оптоволоконных линий, высокочувствительных радиометров, бортовых радаров и т. д.;
- производство терагерцовых устройств в частотном диапазоне от 300 до 900 Ггц.

В рамках федеральной программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» учреждение разработало МИС для НПП «Исток», подобные работы проводились и в интересах НПП «Пульсар».

ИСВЧПЭ занимается разработкой гетероэпитаксиальных структур, приборов на их основе и технологий производства. Некоторые сотрудники Института являются лауреатами «Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники» за разработку интегральных схем на арсениде галлия.

Описание скопировано с Yell.ru - https://www.yell.ru/moscow/com/institut-sverhvyisokochastotnoy-poluprovodnikovoy-elektroniki-ran_10845308/